1 全球碳化硅晶片市场范围
预计到2025年,全球碳化硅晶片市场总价值将达到1009.37百万美元。在2025年至2030年的预测期内,市场预计将以21.40%的复合年增长率(CAGR)增长。这一显著的增长率表明市场正在迅速扩张,这主要受到来自各种下游应用的需求增加、技术进步以及政府支持政策的推动。
碳化硅(SiC)晶片被定义为用于广泛应用的高性能半导体材料,包括功率器件、射频(RF)器件和其他电子元件。这些晶片具有卓越的特性,如高热导率、高击穿电场和高工作频率,使其非常适合用于高功率和高频率应用。随着电动汽车、5G网络和可再生能源系统等新兴技术对碳化硅晶片的采用不断增加,市场的增长得到了进一步支持。
2 碳化硅晶片市场增长的驱动因素和制约因素
全球碳化硅晶片市场的增长受到几个关键因素的推动。首先,对高效率功率器件和RF器件的需求不断增加是一个主要的驱动力。碳化硅晶片能够在更高的温度和频率下工作,使其非常适合用于电力电子和电信领域。电动汽车和5G基础设施的快速发展也推动了对碳化硅晶片的需求,因为这些技术需要高性能的半导体材料才能高效运行。
另一个重要的驱动力是节能效益意识的不断提高。碳化硅晶片可以显著减少功率转换系统中的能量损失,使其成为专注于可持续性和能源效率的行业的理想选择。此外,政府支持可再生能源和电动汽车采用的倡议和政策为市场提供了强大的动力。
然而,市场也面临一些限制。主要挑战之一是碳化硅晶片生产的高成本。复杂的制造过程和对先进技术的需求导致与传统硅晶片相比更高的生产成本。这种高成本可能会限制市场在成本敏感型应用中的渗透。
另一个限制是半导体市场的激烈竞争。市场由少数关键参与者主导,新进入者面临着显著的进入壁垒,包括高昂的研发成本和对先进技术能力的需求。此外,COVID-19疫情对市场产生了短期影响,扰乱了供应链,并导致生产和需求的延迟。
3 碳化硅晶片市场技术创新和企业活动分析
碳化硅晶片市场以持续的技术创新和战略企业活动为特征。领先公司正在大量投资研发,以提高碳化硅晶片的性能并降低成本。例如,Cree和II-VI Advanced Materials等公司不断致力于提高碳化硅晶片的质量和尺寸,专注于开发更大直径的晶片(如6英寸和8英寸晶片),以提高生产效率并降低成本。
企业合并和收购也在塑造市场格局。主要参与者正在通过战略合作伙伴关系和收购来加强其市场地位并扩展其产品组合。例如,意法半导体(STMicroelectronics)收购了Norstel AB,以增强其内部碳化硅生态系统并确保未来项目的晶片供应。同样,SK Siltron收购了杜邦的碳化硅晶片部门,使该公司能够扩大其生产能力并进入新的增长领域。
这些战略举措不仅帮助公司在竞争中获得优势,还推动了整个市场的增长。随着公司继续创新和合作,预计市场将在碳化硅晶片技术方面取得进一步进展,从而增加采用率和市场扩张。
4 全球碳化硅晶片市场按类型分析
预计在未来几年内,全球碳化硅晶片市场将在产品类型方面实现显著增长和转型,如详细市场预测数据所示。到2025年,市场预计将达到约1009.37百万美元的总价值,不同细分市场呈现出不同的增长轨迹。
6英寸(150毫米)晶片:预计该细分市场将实现显著增长,市场规模达到297.21百万美元。在各种应用中对更大直径晶片的日益采用是推动这一增长的关键因素。
4英寸晶片:预计这些晶片将主导市场,实现最高的收入387.63百万美元。它们在现有技术中的广泛使用以及性能的稳定性促成了它们的领先地位。
2英寸晶片:尽管尺寸较小,但这些晶片将保持显著的市场份额,预计市场规模为125.48百万美元。它们在特定的高价值应用中的效用确保了稳定的需求。
其他:包括其他尺寸和类型的晶片,预计该类别将达到199.06百万美元的市场规模。该细分市场的多样性迎合了细分应用和新兴技术。
类型 |
市场规模(百万美元) |
市场份额(%) |
6英寸(150毫米) |
297.21 |
29.44 |
4英寸 |
387.63 |
38.40 |
2英寸 |
125.48 |
12.43 |
其他 |
199.06 |
19.72 |
5 全球碳化硅晶片市场按应用分析
全球碳化硅(SiC)晶片市场正在经历显著增长,这主要受到技术进步和各种应用需求增加的推动。
功率器件:预计到2025年,功率器件细分市场将达到484.92百万美元的市场规模。这比2020年的市场规模184.08百万美元有了显著增长。功率器件细分市场一直在稳步增长,预计2023年的收入为320.44百万美元,2024年为405.58百万美元。
射频器件:预计到2025年,射频器件细分市场将增长至433.63百万美元,高于2020年的164.48百万美元。该细分市场也显示出稳定的增长,预计2023年的收入为285.95百万美元,2024年为362.38百万美元。
应用 |
市场规模(百万美元) |
市场份额(%) |
功率器件 |
484.92 |
48.04 |
射频器件 |
433.63 |
43.06 |
6 全球碳化硅晶片市场按地区分析
北美
预计到2025年,北美地区的市场价值将达到227.77百万美元,占全球碳化硅晶片市场的22.57%。该地区的市场价值从2020年的94.52百万美元稳步增长,预计2023年将达到153.42百万美元,2024年达到193.43百万美元。
欧洲
预计到2025年,欧洲的市场价值将达到221.94百万美元,占全球市场的21.99%。该地区的市场价值从2020年的94.21百万美元增长,预计2023年将达到152.72百万美元,2024年达到190.99百万美元。
亚太地区
预计到2025年,亚太地区将成为按价值计算的最大市场,市场价值达到516.04百万美元,占全球碳化硅晶片市场的51.13%。该地区的市场价值从2020年的176.02百万美元显著增长,预计2023年将达到330.22百万美元,2024年达到422.21百万美元。
7 全球碳化硅晶片行业前三家公司分析
Cree
Cree, Inc.总部位于美国,是照明级发光二极管(LED)产品和用于功率及射频(RF)应用的半导体产品的领先制造商。自1987年成立以来,Cree已确立其在全球碳化硅技术领域的领导地位。该公司的产品专注于室内外照明、视频显示、交通运输、电子标志和信号、电源、逆变器和无线系统等应用。
Cree的业务分布遍及全球,在半导体行业拥有强大的影响力。该公司因其在碳化硅材料方面的创新而闻名,这些材料因其卓越的热、电和机械性能而被用于各种高性能应用。
Cree提供广泛的碳化硅晶片产品,包括:
照明级LED产品:Cree的LED产品旨在提供节能照明解决方案,涵盖从消费照明到商业和工业应用。这些产品以其长寿命和高发光效率而闻名。
功率和RF应用的半导体产品:Cree的半导体产品用于电动汽车、可再生能源系统和电源的功率电子领域。该公司的碳化硅晶片还用于通信基础设施(包括5G网络)的RF设备。
Wolfspeed® SiC MOSFETs:这些是碳化硅MOSFET,为广泛的工业应用提供行业领先的功率效率。与传统的硅基MOSFET相比,它们具有更低的开关损耗和更高的效率。
II-VI Advanced Materials
II-VI Advanced Materials总部位于美国,是工程材料和光电子元件的全球领导者。自1971年成立以来,该公司在全球范围内运营,以其垂直整合的制造能力而闻名。II-VI为工业、光通信、航空航天与国防、生命科学、半导体资本设备和消费市场等多样化应用开发创新产品。
II-VI Advanced Materials提供全面的碳化硅晶片产品组合,包括:
高质量单晶SiC衬底:这些衬底用于无线基础设施、RF电子和功率开关行业。该公司在研发方面的投资确保了最先进的晶体生长技术和晶片制造实践。
功率器件用碳化硅晶片:II-VI提供的碳化硅晶片是制造高电压功率电子器件所必需的。这些晶片有助于功率模块的小型化和更高效率。
外延晶片:该公司生产外延晶片,精确控制厚度、掺杂和缺陷密度,使半导体制造设施能够生产高产量的功率器件。
定制晶片解决方案:II-VI提供定制晶片解决方案,以满足特定客户需求,包括不同的尺寸、掺杂水平和表面处理。
SiCrystal
SiCrystal总部位于德国,是单晶碳化硅半导体晶片的全球市场领导者。自1994年成立以来,SiCrystal专注于生产高度专业化的碳化硅产品,这些产品是全球创新电子元件制造的基础。
SiCrystal的产品包括:
单晶碳化硅晶片:这些晶片是用于生产节能电气元件的高精度圆盘。它们以其透明度、硬度和温度不敏感性而闻名,使其非常适合用于高性能应用。
高质量SiC衬底:SiCrystal生产的衬底满足客户要求的严格规格,确保可靠和高效的电子设备制造。
定制晶片解决方案:该公司提供定制晶片解决方案,以满足特定客户需求,包括不同的直径、厚度和掺杂类型。
研发合作:SiCrystal积极与研究机构和行业合作伙伴合作,开发下一代碳化硅材料和应用。
多种应用的半导体晶片:SiCrystal的晶片用于包括功率电子、微波电子和光电子在内的广泛应用。
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