宽带隙半导体区域市场分析：2024年北美、欧洲市场份额分别为36.3%、20.7%

2024年，全球宽带隙半导体市场规模为3.09亿美元，预计到2032年其规模将达到8.32亿美元。

全球宽带隙半导体市场规模及地区占比分析

资料来源：贝哲斯咨询

市场驱动因素分析

随着制造商在射频应用中大量使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），全球对宽带隙半导体的需求正在上升。

宽带隙半导体材料广泛应用于高电压、高温度和高频率的器件，这一因素增加了市场对其需求。

宽带隙半导体是制造蓝光、绿光激光器和led的主要部件，这也拉动了整体需求。

此外，宽带隙半导体市场制造商正从平板电脑和智能手机的使用增加中受益。在线视频流媒体的增加使移动设备用户数量迅速增加带来了数据的高使用率。因此，宽带隙半导体市场的制造商正在将SiC和gan基半导体用于高性能电信和无线系统，这增强了对宽带隙半导体的需求，并推动了宽带隙半导体市场的增长和宽带隙半导体市场的未来趋势。

此外，LED照明市场的良好增长也为宽带隙半导体行业制造商创造机会。

区域分析

2024年，由于智能设备的使用和采用增加，北美主导全球宽带隙半导体市场，市场份额为36.3%。此外，北美的汽车行业正在快速增长，这进一步刺激了对宽带隙半导体的需求和宽带隙半导体的采用。

2024年，欧洲宽带隙半导体市场份额为20.7%。该地区对节能半导体的需求不断增加，以满足发展中的It和电信行业以及该地区的消费电子产品的需求。此外，欧洲地区宽带隙半导体行业也得到了政府的资助。

竞争格局

全球宽带隙半导体市场主要市场参与者分析
Efficient Power Conversion Corporation				Everlight Electronics Co .
Mersen s.a.	Avogy, Inc.				Toshiba Corporation
Renesas Electronics Corporation		NXP semiconductors N.V
Fujitsu Limited	Cree Inc.		Fairchild Semiconductor

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