全球FinFET技术市场集中度较高,Top3企业市场份额超55%

FinFET,‌全称Fin Field-Effect Transistor,‌中文名为鳍式场效应晶体管,‌是一种新的互补式金属氧化物半导体晶体管。‌该技术源自传统标准场效应晶体管(‌FET)‌的创新设计,‌其特点在于栅极形状类似于鱼鳍的叉形3D结构,‌可以在电路的两侧控制电路的通断。‌这种设计大幅改善了电路控制,‌减少了漏电流,‌并可以缩短晶体管的栅极长度。‌市场发展概览
FinFET技术的主要优势包括体积更小、‌功耗更低、‌速度更快,‌是现代半导体制程技术的关键组成部分‌。‌近年来,全球FinFET技术市场呈现出稳步增长的态势。据贝哲斯的调研数据,2024年全球FinFET技术市场规模预计将达435.09亿美元,较2023年增长10.88%,预计到2029年经继续增至773.44亿美元。2024-2029年复合年增长率(CAGR)预估为12.19%。
下游应用格局分析
从下游应用格局来看,FinFET技术主要应用于智能手机、电脑和平板电脑、可穿戴设备、汽车以及高端网络等领域。其中,智能手机领域为其下游最大的应用市场,2024年应用份额预估为41.26%。
全球FinFET技术市场规模及下游应用份额预测
 全球FinFET技术市场规模及下游应用份额预测
数据来源:贝哲斯咨询
市场竞争格局分析
从市场竞争格局来看,全球FinFET技术市场集中度较高。数据显示,2023年行业Top3企业FinFET技术产值总计219.62亿美元,产值总份额达55.97%。Top3企业分别是TSMC Ltd.、Samsung Electronics Corporation, Ltd.以及Intel Corporation e,2023年这三家企业FinFET技术产值在全球市场中的份额分别为26.76%、18.65%和10.56%。
2023年主要企业FinFET技术产值及产值份额统计

企业

产值(亿美元)

产值份额

TSMC Ltd.

105.00

26.76%

Samsung Electronics Corporation, Ltd.

73.18

18.65%

Intel Corporation

41.44

10.56%

Top3企业

219.62

55.97%

数据来源:贝哲斯咨询

获取更多FinFET技术行业信息,可参考我们最新发布的《2023年FinFET技术市场现状分析及前景预测报告(全球与中国版本)》。

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